濟南市引進的富士康高功率芯片項目，主要為年產36萬片8寸硅基功率器件和12萬片6寸SiC功率器件的工業廠房。項目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建筑面積24萬平米。

    據介紹，中鐵14局主要負責項目的基礎工程、主體工程、裝飾裝修、場區市政以及安裝工程等，目前項目進場道路已經打通，正在進行灰土和面層混凝土施工；降水工程基本完成，強夯工程正在施工；臨建板房、場區圍擋正在搭設；cub動力廠房樁基正式開始施工。

    此外，3月15日濟南高新區管委會亦發布新聞稿稱，濟南臨空經濟區組織舉行富能高功率芯片生產項目樁基開工儀式。文中消息顯示，該項目將建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發、生產基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

    富士康濟南項目（富能高功率芯片生產項目）將建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產MOSFET（金氧半場效晶體管）、CoolMos、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發、生產基地，項目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

    十月底將完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。項目投產后可實現65億元以上的營收。該項目是中國大陸地區功率器件技術起點最高的項目，具備全球行業前五的技術實力，產品應用將基于智能手機、8K電視、5G 通信、工業互聯網等，重點面向各種消費類和車載應用等主流市場。本項目的落地也徹底打破了我市乃至我省半導體集成電路產業缺乏龍頭項目的局面。


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